型号:IRFD020PBF | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:4-DIP(0.300",7.62mm) | 描述:MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP |
系列 | HEXFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 100 毫欧 @ 1.4A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 24nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 400pF @ 25V |
功率_最大 | 1W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商设备封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
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